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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,Renesas Electronics ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。25545+¥19.309750+¥18.4845200+¥18.0224500+¥17.90681000+¥17.79132500+¥17.65935000+¥17.57687500+¥17.4942
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 40000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube13085+¥28.087050+¥26.8867200+¥26.2146500+¥26.04651000+¥25.87852500+¥25.68645000+¥25.56647500+¥25.4464
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT27805+¥24.283450+¥23.2456200+¥22.6645500+¥22.51921000+¥22.37392500+¥22.20795000+¥22.10417500+¥22.0003
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 IGBT67945+¥26.961550+¥25.8093200+¥25.1640500+¥25.00271000+¥24.84142500+¥24.65715000+¥24.54197500+¥24.4266
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FL Tube32625+¥19.128350+¥18.3109200+¥17.8531500+¥17.73871000+¥17.62422500+¥17.49345000+¥17.41177500+¥17.3299
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 55000mW 3Pin(3+Tab) TO-3PFM Tube53621+¥71.961310+¥68.8325100+¥68.2693250+¥67.8313500+¥67.14301000+¥66.83012500+¥66.39215000+¥66.0166
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 85A 297600mW 3Pin(3+Tab) TO-247A Tube80421+¥40.746810+¥38.4089100+¥36.6721250+¥36.4049500+¥36.13771000+¥35.83712500+¥35.56995000+¥35.4029
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品类: IGBT晶体管描述: AC-DC Power Supply Dual-OUT 5V/12V 10A/5A 88W46081+¥36.920910+¥34.8025100+¥33.2288250+¥32.9867500+¥32.74461000+¥32.47222500+¥32.23015000+¥32.0788
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 320000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube35531+¥54.998810+¥51.8432100+¥49.4989250+¥49.1383500+¥48.77761000+¥48.37192500+¥48.01135000+¥47.7859
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 90A 328900mW 3Pin(3+Tab) TO-247A Tube26835+¥24.580550+¥23.5301200+¥22.9418500+¥22.79481000+¥22.64772500+¥22.47965000+¥22.37467500+¥22.2695
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道IGBT为频闪闪光灯 Nch IGBT for Strobe Flash46605+¥4.051425+¥3.751350+¥3.5412100+¥3.4512500+¥3.39112500+¥3.31615000+¥3.286110000+¥3.2411
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 290000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube63365+¥23.976850+¥22.9522200+¥22.3784500+¥22.23491000+¥22.09152500+¥21.92755000+¥21.82507500+¥21.7226
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 260400mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube94645+¥30.948850+¥29.6262200+¥28.8856500+¥28.70041000+¥28.51532500+¥28.30365000+¥28.17147500+¥28.0391
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,Renesas Electronics ### IGBT(绝缘栅双极型晶体管)分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。5547
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品类: IGBT晶体管描述: * Low collector to emitter saturation voltage * VCE(sat) = 1.35V typ. (at IC = 50A, VGE = 15V, Ta = 25℃) * Built in fast recovery diode in one package * Trench gate and thin wafer technology * High speed switching * tf = 74ns typ. (at IC = 30A, VCE = 400V, VGE = 15V, Rg = 5Ω, Ta = 25℃, inductive load)5972